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用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板，用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料．原子力显微镜结果显示，在不同的溅射气压下（0．5～1．5Pa），能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构．光致发光谱显示，在550～700nm之间有一个很强的发光峰，随着生长条件的改变，这个发光峰的强度有显著的变化．分析了纳米结构的形成、发光峰的变化与制备条件的关系．