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基于0.2μm SOI RF工艺平台,设计了串联支路,并联支路,单刀单掷,单刀双掷等电路结构,研究单级宽度,级联数目等设计参数对射频开关谐波性能的影响。通过实验数据,分析讨论各参数对射频开关谐波性能的影响变化趋势,阐明了产生变化的机制,为射频开关设计提供参考。
不同设计参数对SOI射频开关谐波性能影响的分析研究
【摘 要】
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基于0.2μm SOI RF工艺平台,设计了串联支路,并联支路,单刀单掷,单刀双掷等电路结构,研究单级宽度,级联数目等设计参数对射频开关谐波性能的影响。通过实验数据,分析讨论各参
【机 构】
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2018年7期
【基金项目】
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国家科技重大专项课题02专项,基于国产工艺的射频核心器件的研发与应用(2017ZX02305),高性能射频SOI工艺平台开发(2017ZX02305002)
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