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以SiC超细粉为原料,采用热等离子体PVD(TPPVD)法快速制备了SiC膜,最大沉积速度达到138nm/s.为了降低SiC膜的电阻率,提高其热电性能,采用向等离子体中通入Nz的方法对SiC膜进行了掺杂.用扫描电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子谱对薄膜的形貌和结构进行了观察和分析.实验测定了SiC膜掺杂前后的热电性能并与SiC烧结体的结果进行比较.实验结果表明:向等离子体中导入N2是对SiC膜进行掺杂的有效方法,但同时也显著影响SiC膜的形貌、成分和沉积速度.未进行氮掺杂和经过氮掺杂后的SiC薄膜的(5