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在周边环绕玻璃薄片介电体的作用下,绳束状碳纳米管宏观体的场发射电流发生异常跃迁,同时伴随有场发射电子光斑的横向扩展,导致跃迁后的场发射电流明显高于正常情况.所有观察到的现象均与介电体存在下的电场重新分布和电子轨迹偏离有关.理论分析及随后的场发射测试检验了介电体几何尺寸、间距、介电常数等因素对场发射Ⅰ-Ⅴ性能的影响.研究结果提供了一种控制Spindt型场发射体电子发射性能的新的可行途径.