一种在大功率范围内有广泛用途的新型器件IGCT

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IGCT 集成门极换向晶闸管是由在GTO 结构里引入了缓冲层(pin)、可穿透发射区结构、反并联续流快恢复二极管而形成的门极换向晶闸管GCT 和硬门极驱动电路集成在一起的一种新器件。它具有晶闸管的高电压、大电流、低导通损耗和IGBT(绝缘栅双极晶体管) 的关断均匀、开关速度高的优点。目前已用于电压等级为2-3kV、3-3kV、4-16kV、6-9kV,功率范围为0-5~100 MVA 的装置中。它是一种理想的大功率电力半导体器件。 IGCT integrated gate commutated thyristor is a gate commutated thyristor GCT and a hard gate drive circuit formed by introducing a pin in the GTO structure, penetrating the emitter structure, and anti-parallel freewheeling fast recovery diode A new device integrated. It has the thyristor high voltage, high current, low conduction loss and IGBT (insulated gate bipolar transistor) turn-off, the advantages of high switching speed. Has been used for the voltage level of 2-3kV, 3-3kV, 4-16kV, 6-9kV, the power range of 0-5 ~ 100 MVA device. It is an ideal high-power power semiconductor device.
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