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采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡 (SnO2 :Sb)薄膜 .制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄 ,晶粒生长的择优取向为 [110 ].室温下光致发光测量结果表明 ,在 392nm附近存在强的紫外 紫光发射 .研究了不同氧分压对薄膜结构及发光性质的影响 ,并对SnO2 :Sb的光致发光机制进行了探索性研究 .