【摘 要】
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将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜（AFM）对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷（FPD）的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法（RT
【机 构】
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石家庄铁道学院数理系,河北工业大学信息功能材料研究所
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将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜（AFM）对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷（FPD）的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法（RTA）,在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火时间对FPD缺陷密度的影响。结果表明,FPDs缺陷在1100℃以下非常稳定;但是在1100℃以上的温度,尤其在1200℃对Si片进行RTA处理后,Si片中FPD的密度大大降低,而且随着的退火时间的延长,密度不断下降。
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