空洞型缺陷相关论文
本文由磁偶极链概念分析了纵向磁化时试件平面、圆柱面表面下球形、网柱形、矩形棱柱形空洞在表面上产生的漏磁场，发现其显漏率e都......
利用实验室轧制实验研究了不同变形温度和变形量条件下27Si Mn钢空洞型缺陷和组织的演变规律,采用一元非线性函数拟合了空洞平均直......
随着电子工业的蓬勃发展和社会信息化的不断深入,微电子技术在人类生产生活的方方面面发挥着越来越重要的作用。硅单晶是电子器件......
研究了高温退火过程中氩/氢混合气氛对300 mm硅片表面质量(原生颗粒缺陷和微粗糙度)的影响。在氢气含量不同的氩/氢混合气氛中,对......
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids......
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)......
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷（FPDs）是否属于空洞型缺陷，目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验......
总结了氢对直拉硅（CZ）单晶中缺陷影响的研究进展，主要介绍了氢促进氧扩散、热施主和氧沉淀生成，以及高温氢气退火促进直拉硅片空洞型缺......
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中，空洞型原生缺陷（voids）的分布行为和其退火性质。从两种晶体不同位置取样，观察与大尺寸voids相关的流......
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷（Voids)的影响，样品在1050－1200℃范围进行氢退火，退火前后样品上的流水花样缺陷（FPD）和晶......
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜（AFM）对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷（FPD）的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进......
以N型重掺直拉硅单晶片为衬底的硅外延片被广泛用于集成电路以及功率器件的制造。为了提高器件的成品率,通常要求外延硅片具有内吸......
超大规模集成电路的高速发展对硅单晶材料提出了愈来愈严格的要求,控制和消除直拉硅中的微缺陷是硅材料开发面临的最关键的问题。......
本文综述了制造集成电路(IC)用直拉硅的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术;硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程);大直径硅中新......
重掺杂直拉硅单晶既可以消除CMOS器件的闩锁效应,也能够有效地降低器件的功耗,而广泛用作硅外延片的衬底材料。氧沉淀和空洞型缺陷......
大型锻件作为大型成套设备的核心零件，在国民经济建设、国防装备发展和现代尖端科学技术重大装置的建设中，起着非常重要的作用。其生......
综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅......
大锻件作为大型成套设备的核心零件,在电力、钢铁、石化、造船、交通、军工、重矿机械、航空航天等行业的发展中发挥着非常重要的......
由空位聚集而形成的空洞型缺陷(Void)是直拉硅单晶中一种重要的原生微缺陷,它们的存在不仅会使栅氧化物的完整性(GOI)受到严重破坏......
随着集成电路特征线宽的不断减小,集成电路所需硅片直径越来越大,对硅片质量的要求也越来越高。在大直径直拉硅片的生产中如何保证......
集成电路特征线宽的不断减小使直拉硅单晶中的微缺陷的控制变得越来越重要。随着硅片直径不断增大以及磁控拉晶技术的应用,硅中的......
