【摘 要】
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氢气气氛下MOCVD异质外延是目前工业界广泛使用的外延生长GaN基半导体的方法。研究表明,在GaN薄膜外延生长过程中,成核层的质量对外延薄膜的质量有着重要的影响。但从安全和
【基金项目】
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山西省自然科学基金(201701D221006;2015021016)
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氢气气氛下MOCVD异质外延是目前工业界广泛使用的外延生长GaN基半导体的方法。研究表明,在GaN薄膜外延生长过程中,成核层的质量对外延薄膜的质量有着重要的影响。但从安全和成本角度来考虑,在氮气气氛下生长高质量成核层是值得攻克的难点问题,我们在氮气气氛下,使用Thomas Swan 2寸19片MOCVD工业级生长设备在蓝宝石衬底上生长GaN成核层,利用AFM对样品表面进行表征,研究了生长温度、生长时间、以及Ga源流量对GaN成核层的影响。结果表明GaN成核层生长时间在2分钟内均匀单层生长,生长温度在750℃以下成核岛分布均匀,Ga源流量与GaN生长速率呈线性关系,可简单的通过控制Ga源流量控制GaN成核层生长速率。
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