论文部分内容阅读
研究了MOCVI(Metal Organic Chemical Vapor Infiltraton)方法制备Nextel 720/SiO2复合材料的工艺理论基础,分析了载气流量、先驱体TEOS(正硅酸乙酯)温度、沉积温度和氧气浓度对氧化硅基体沉积速率和Nextel 720SiO2复合材料显微结构的影响。结果表明,TEOS60℃,O2流量30ml·min^-1,载气流量400ml·min^-1,沉积温度600 ℃为复合材料最佳制备条件。