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为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理，进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平，研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响。发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀，隧道孔的极限生长有限，不能贯穿整个夹芯层，这可能是光箔成分和立方织构影响蚀孔的生长方向。在不添加硫酸的条件下温度对极限长度的影响非常小，低于70℃下甚至不生长隧道孔，所形成的夹芯层非常厚。而经过0．8mol／L游离酸的二级腐蚀，隧道孔径向生长可以贯穿整个夹芯层。