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当生长掺S的GaSe单晶时，熔体的强烈对流和溶质扩散使得生长出大尺寸的晶体较为困难。本实验采用改进的Bridgman炉，并结合坩埚旋转技术，成功生长出了较大尺寸的GaSe0.89S0.11单晶体（φ20×60mm^3）。采用X射线粉末衍射仪、能谱仪、纳米压痕仪和傅里叶红外光谱仪测量其结构、成分、机械和光学性质。测试结果表明，质量分数为2.38％的S掺杂的GaSe晶体（GaSe0.89S0．11）没有发生结构相变；它的机械性能得了明显的改善，同时光学性能也得到了一定的提高。