【摘 要】
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In1-xGaxAs是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,其光谱响应截止波长可随合金组分x值的不同在0.87μm(GaAs)～3.5μm(InAs)范围内变化。InGaAs材料在光通讯领域的广泛应用和可在
【机 构】
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天津津航技术物理研究所,天津津航技术物理研究所 天津300192,天津300192
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In1-xGaxAs是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,其光谱响应截止波长可随合金组分x值的不同在0.87μm(GaAs)～3.5μm(InAs)范围内变化。InGaAs材料在光通讯领域的广泛应用和可在常温下工作的特点,使其成为焦平面成像领域的研究热点。国际市场已有商业化产品,主要应用于民用、军用、航空、空间遥感等领域。在介绍In1-xGaxAs短波红外焦平面探测器的主要特性及研制进展的基础上,重点介绍了国际上在InGaAs光谱响应范围向可见光扩展的研究动向。
In1-xGaxAs is a Group III-V compound semiconductor alloy material whose spectral response cut-off wavelength can vary from 0.87μm (GaAs) to 3.5μm (InAs) depending on the x value of the alloy composition. The wide application of InGaAs materials in the field of optical communication and their workability under normal temperature make them become research hotspots in the field of focal plane imaging. The international market has commercial products, mainly used in civil, military, aviation, space remote sensing and other fields. Based on the introduction of the main features and development of In1-xGaxAs shortwave infrared focal plane detector, the research trends of the international expansion of visible light in the InGaAs spectral response range are mainly introduced.
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