GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层中的近红外光致...

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【摘要】

：

本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量

【作者】

：

赵家龙梁家昌高瑛刘学彦苏锡安关兴国章其麟

【机构】

：

中国科学院长春物理研究所,中国民用航空学院,河北半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1992年4期

【关键词】

：

衬底外延生长红外光谱强度 Laser BeamsApplicationsPhotoluminescenceSemiconducting Gallium A

【基金项目】

：

国家自然科学基金,,中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室基金

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本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.

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