切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
数字生活更简单——NESO LD2206W显示器
数字生活更简单——NESO LD2206W显示器
来源 :大众数码 | 被引量 : 0次 | 上传用户:maomao820
【摘 要】
:
【正】互联网的发展使网民通过网络获取影音文件越来越方便,对电脑显示终端的多媒体性能要求也越来越高。所以消费者对液晶产品的反应速度、对比度等技术指标方面的追求也高
【出 处】
:
大众数码
【发表日期】
:
2007年3期
【关键词】
:
显示器市场
NESO
LD2206W
液晶产品
显示终端
多媒体性
数字生活
影音文件
显示设备
技
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
【正】互联网的发展使网民通过网络获取影音文件越来越方便,对电脑显示终端的多媒体性能要求也越来越高。所以消费者对液晶产品的反应速度、对比度等技术指标方面的追求也高涨起来。
其他文献
镧系元素的电子转移反应(Ⅳ)铽原碲酸根配合物在KOH水溶液中还原反应的动力学和机理
从水溶液中制备了铽(Ⅳ)原碲酸根配合物,利用紫外-可见光谱研究了其L→M电荷迁移跃迁,探讨了配合物阴离子在KOH水溶液中自发还原反应的动力学规律,测出了电子转移过程的动力学参数。根据
期刊
铽原碲酸根
配合物
电子转移反应
镧系元素
优雅睿智——三星i408
【正】三星在工艺设计方面的实力一直为业界所称道,今天《大众数码》手机评测室收到的i408更加印证了这一结论。三星i408采用的是Symbian S60第三版操作系统,这在三星的产品
期刊
i408
智能机
SYMBIAN
工艺设计
评测室
滑盖设计
稀土元素1:12系列钨锗杂多配合物的合成及性质研究
本文首次合成出八种Keggin结构的稀土元素钨锗杂多配合物LnHGeW12O40.xH2O。用ICP,^183WNMR,X射线粉末衍射,IR,UV,循环伏安和TG-DTA热分析等手段,这些杂多配合物进行了表征和性质研究。讨论了结构和性质的关系,为此类配合物的催化
期刊
KEGGIN结构
合成
稀土族
钨锗杂多配合物
中庸之道——通用GE E850
【正】提起通用GE,相信无人不晓。如今,GE将目光投向IT界,跻身于竞争激烈的数码相机行列,这次我们为大家介绍的是这款上市不久的E850。没有时尚的外观,也没有轻薄的身材,中规
期刊
GE
E850
钢琴烤漆
高贵典雅
镜面效果
中规中矩
拍摄模式
脸部识别
像质
羌人
创作空间
安徽主要土壤对钕的吸附
安徽五种主要土壤在自然和钙饱和状态下对钕的吸附(25℃)都与所选用的Langmnir方程、Temkin方程和Freundlich方程有很好的拟合性。效的最大吸咐量(x_m)与土壤阳离子(CEC)呈显
期刊
土壤
钕
吸附
稀土变质钒白口铸铁的研究
采用稀土单元变质剂和稀土-硅复合变变质剂对钒白口铁(1.80-2.10%)V进行变质处理,分析了两种变质处理对钒白口铸铁组织和性能的影响。结果表明,稀土-硅复合变质处理显著改善了碳化物的分布形态
期刊
变质处理
钒
白口铸铁
铸铁
抗磨
磨损
稀土元素
RE
Modification
Vanadium white cast iron
含P507微胶囊萃取水相中稀土的迁移行为
分别用乙基纤维素和海藻酸钙作为膜材,将P506微胶囊化。将这两种含萃取剂的胶囊用于萃取La^3+,Nd^3+和Lu^3+,可以将这些离子富集于微胶囊内。由于固体膜对芯材固定化和对离子的阻障作用,使萃取的传质
期刊
微胶囊
乙基纤维素
海藻酸钙
萃取
稀土
迁移
Al2O3/含铈中锰钢界面结构的研究
采用扫描电镜,X射线衍射仪研究了Al_2O_3含铈中锰钢的界面结构。结果表明:Al_2O_3/含铈中锰钢的界面属反应型界面,界面反应产物为CeAlO_3。当界面反应较充分时,界面结构由中
期刊
锰锣
中锰钢
铈
氧化铝
界面结构
顶级之作 夏新N800
【正】网络制式:GSM/GPRS/EDGE;900/1800/1900MHz操作系统:Windows Mobile 6.0 Professional处理器:三星SC32442 400MHz内存:128MB ROM、64MB SDRAM颜色:黑色屏幕:65536色TFT
期刊
网络制式
第三代
卫星导航
导航功能
夏新
自动对焦
导航软件
N800
微距
硬件配置
非晶硅钆合金薄膜的ESR研究
用ESR研究了电子束蒸发的非晶硅钆半导体合金薄膜a-Si_1-_xGd_x。其钆组分x的范围为0~10at%。薄膜的ESR信号的g因子在(2.0043±0.0001)到(2.0054±0.0001)内变化,谱线
期刊
钇
非晶硅
钇合金
薄膜
与本文相关的学术论文