光斑尺寸对GaAs1-xBix光致发光谱线型的影响

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wushupei

【摘要】

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针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs1-xBix带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs

【作者】

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闫冰陈熙仁刘锋邵军

【机构】

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上海师范大学数理学院,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

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2019年2期

【关键词】

：

光斑尺寸信噪比光致发光 GaAsBi spot sizesignal-to-noise ratio(SNR)photoluminescence(PL)GaA

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(2014CB643901),国家自然科学基金(61675224,61334004和U1531109),上海市基础研究重点项目(16ZR1441400,16JC1402400和17142200100),中国科学院上海技术物理研究所创新项目(CX-195,CX-151).

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针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs1-xBix带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs1-xBix外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结果表明,激发功率恒定时光斑直径增大导致PL峰位红移和线宽先降低后增大.这一现象是由于等效激发功率密度的降低而导致的.在保持激发功率密度为5.1 W/mm2时,光斑增大不影响光谱线型但显著提升SNR.由此,低激发功率密度PL光谱的

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