【摘 要】
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Trigger characteristics of electrostatic discharge(ESD)protecting devices operating under various ambient temperatures ranging from 30℃to 195℃are investigated.The studied ESD protecting devices are the H-gate NMOS transistors fabricated with a 0.18-μm par
【机 构】
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InstituteofMicroelectronics,KeyLaboratoryofScienceandTechnologyonSiliconDevices,UniversityofChineseA
【基金项目】
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the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61804168)。
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Trigger characteristics of electrostatic discharge(ESD)protecting devices operating under various ambient temperatures ranging from 30℃to 195℃are investigated.The studied ESD protecting devices are the H-gate NMOS transistors fabricated with a 0.18-μm par
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