【摘 要】
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在超高真空系统中对基于丝网印刷方法制备的碳纳米管薄膜的场蒸发效应进行实验研究.实验发现,碳纳米管薄膜样品存在场蒸发现象,蒸发阈值场在10.0—12.6 V/nm之间,蒸发离子流
【机 构】
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兰州大学核科学与技术学院,中国工程物理研究院电子工程研究所,东南大学电子科学与工程学院
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在超高真空系统中对基于丝网印刷方法制备的碳纳米管薄膜的场蒸发效应进行实验研究.实验发现,碳纳米管薄膜样品存在场蒸发现象,蒸发阈值场在10.0—12.6 V/nm之间,蒸发离子流可以达到百皮安量级;扫描电子显微镜分析和场致电子发射测量结果表明,场蒸发会使碳纳米管分布变得更加不均匀,会导致薄膜的场致电子发射开启电压上升（240→300 V）、场增强因子下降（8300→4200）、蒸发阈值场上升（10→12.6 V/nm）,同时使得薄膜场致电子发射的可重复性明显变好.场蒸发也是薄膜自身电场一致性修复的表现,这种
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