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毫米波半导体器件与其外延材料的发展
毫米波半导体器件与其外延材料的发展
来源 :半导体杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:future_007_007_007
【摘 要】
:
本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件(如HEMT、HBT、Si/SiGeHBT、IMPATT等)及相应外延材料的研究进展.
【作 者】
:
王向武
陆春一
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
半导体杂志
【发表日期】
:
1994年3期
【关键词】
:
毫米波
异质结
HEMT
HBT
崩越二极管
外延材料
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本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件(如HEMT、HBT、Si/SiGeHBT、IMPATT等)及相应外延材料的研究进展.
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