崩越二极管相关论文
IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极晶体管IHPCISDN High voltage Power Controller ISDN高压电源控制器IHVIndepen......
在分析近距雷达系统的工作时,最小可探测信号的功率和系统的潜力具有巨大实际意义。前者系指在被研究频段内超过噪声功率的给定倍......
系统的设计考虑近20年来,全天候防空导弹和空空导弹系统基本上都是采用半主动雷达制导。“霍克”、“麻雀”和“爱国者”是这一代......
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view......
第四届欧洲微波会议于一九七四年九月十日至十三日在瑞士蒙特勒召开。《微波系统新闻》报导了这次会议概况。现介绍报导中的有关......
期 页砷化镣单片微波集成电路工艺述评…………………………………………………王福臣11异质结扩散模型电流传输理论研究 1.突变异......
据报导美国海军和RCA、德克萨斯仪器公司订立合同。研制一种X波段多级放大器。在所有级中采用GaAsFET器件,首先研究集中组件技术......
改进的里德型低-高-低高效率砷化镓崩越二极管的研制需要特殊的生长技术,即薄层(100～1000埃)能可控生长以及 n 型杂质浓度高度准确......
本文提出了一种研制多层GaAs汽相外延的装置,概述了用双室反应管制备多层GaAs薄膜的实验方法及部分结果。本技术的特点是避免了杂......
年 份 ——一 194 3 194 8 194 9 19j 9 1950 195i 1952 1952 1952 1953 1953 1953 1954 1954 1956 1 956 1 957 195; 195 8 1 95 ......
本文叙述了高效率砷化镓崩越二极管的并联组合技术及多管芯并联器件的热设计;简单介绍了并联器件制造工艺;并给出了两管芯并联的实......
对于硅崩越管管芯;选择一致的物理参数;选用恰当的引线方式;改进管芯与管壳的热接触确定最佳结直径,双台面崩越二极管实现了功率合......
本文报导了3毫米频段硅P~+NN~+崩越二极管研制中采取的工艺措施和实验结果.器件的最佳性能为:103GHz输出115mW,η=3.6%;126GHz下输......
本文介绍半导体器件计算机模拟的物理模型和计算方法.以分析微波崩越二极管的大信号时间域模拟说明进行微波半导体计算机模拟的原......
本文采用类Misawa方法解连续性方程和泊松方程,引用Grant离化率数据和Canali等人的饱和速度数据,借助计算机计算硅单边和双边突变......
用于低噪声放大器和高效率功率放大器以及振荡器的微波器件的研制工作正继续迅速的发展。本文评述了几种类型的微波器件在器件设计......
耿效应和崩越二极管固体微波信号源的普遍使用,引人注目地证明这些器件的可靠性已有提高。目前耿效应和崩越器件在许多要求很高的......
晶体管问世以后,各种类型的半导体器件相继出现.大量新效应新机理的成功应用,使得半导体器件成为包含许多种类、具有广泛影响的一......
毫米波(≥35千兆赫)雷达发射机的选择受到影响其它雷达发射机选择的相同因素的约束。这些因素主要包括峰值与平均功率,脉冲宽度、......
本文从微波半导体器件的角度论述了砷化镓材料的重要性.砷化镓材料的发展过程是与微波器件的发展紧密联系在一起的.砷化镓材料每前......
第1 期 龟固体电子学研究与进展》向国外发行致读者—……………………·本刊主编 林金庭(1) 半导体将进入GaAs IC的年代…………......
引言现代防御电子系统,不论是雷达、导弹制导、通信、还是电子战,其微波电路的功能均与砷化镓密切相关。砷化镓能使较轻便的小型......
在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下,推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式.用于计算35GHz崩越管渡越角,......
应用自编的崩越二极管模拟程序,进行了器件的计算机模拟.给出硅8毫米双漂移崩越管的模拟结果及其分析.并给出经计算机优化器件设计......
学术论文 期 页异质谷间转移电子效应的实验研究……………………………………薛航时 邓衍茂 张崇仁等11.·种基于电荷法模型的亚......
叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400～800mW连续输出功率,效率5％～10％,结温20......
报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N~+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得......
ＷＸ系列崩越二极管ＷＸＳｅｒｉａｌＩＭＰＡＴＴＤｉｏｄｅｓ￥ＣｈｅｎＳｈｕｉｓｈｅｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ２１００１６）崩越二极管具有优良的性能，在微波及毫米波频段能产生大的连续波或脉冲射频功率，是常用...
WX series collapsing di......
研究了用于 W-40G 转发器的本振和射频功率放大器的80千兆赫硅崩越二极管。介绍了一种用硅的物理常数,二极管结构和工作条件表示的......
本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．......
叙述8毫米硅连续波崩越二极管的设计和制造,在频率35 GHz附近,金集成热沉的双漂移崩越管获得400～800mW连续输出功率,效率5％～10％,结温20......
采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的......
