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背面通孔是GaAs MMIC制造工艺中的一个重要步骤.通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性[1].背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响.因此,使用SEM对背面通孔工艺进行研究变得尤为重要.
使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
【摘 要】
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背面通孔是GaAs MMIC制造工艺中的一个重要步骤.通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性[1].背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响.
【机 构】
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河北工业大学信息学院,电子十三所
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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2002年5期
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