【摘 要】
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在评估和优化半导体器件开关瞬态特性领域,解析模型因具有简单、直观、应用便捷等优点得到了广泛研究。相较同等功率等级的硅基功率器件,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)可以应用于更高开关速度,其开关瞬态特性更为复杂,开关瞬态解析建模也更加困难。本文
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(52177167,51877005);
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在评估和优化半导体器件开关瞬态特性领域,解析模型因具有简单、直观、应用便捷等优点得到了广泛研究。相较同等功率等级的硅基功率器件,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)可以应用于更高开关速度,其开关瞬态特性更为复杂,开关瞬态解析建模也更加困难。本文总结了现有的针对SiC MOSFET与二极管换流对的开关瞬态解析建模方法,在建模过程中依次引入各种简化假设,按照简化程度由低到高的顺序,梳理了解析建模的逐步简化过程。通过对比,评估了各模型的优缺点以及适用场合,对其中准确性、实用性都较强的分段线性模型进行了详细介绍。之后,对开关瞬态建模中关键参数的建模方法进行了总结与评价。最后,指出了现有SiC MOSFET开关瞬态解析模型中存在的问题,并对其未来发展给出了建议。
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