半导体芯片银凸点微电极生长技术

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:peilimin1989
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银点微电极生长技术主要用于ISS181系列高压超高速开关二极管的电极成型,是一项制约ISS181封装国产化的瓶颈技术.该项目研究采用了自主开发的流动独立供液、独立供电,整体控制工艺,用于100 mm芯片电极成型,保证银凸点微电极高度40 μm,误差±15%.做到微区银点生长有效控制,大面积一致性好.在流量8 L/min,电压6.5 V,占空比10%的条件下,得到了最佳结果.
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