铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：longyonghong520

【摘要】

：

研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容

【作者】

：

张璠赵有文董志远张瑞杨俊

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年8期

【关键词】

：

ZNO 掺杂化学气相传输单晶 zinc oxide doping CVT single crystal

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研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为1018~1019cm-3的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,ZnO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In-ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响.

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