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研究不掺杂和掺Eu的BaMgAl10O17(BAM)荧光粉在真空紫外激发的光致发光(PL)、热致发光(TL)性能。研究发现不掺杂的BAM发射的空穴与缺陷产生的电子陷阱有很大的关系。我们认为这些缺陷与BAM空穴导电层的氧空穴有关。我们还认为掺了E^2+的BAM主体存在着缺陷。基于这些结果,我们提出了一种真空紫外激发BAM:Eu^2+荧光粉的能量转移模型。