论文部分内容阅读
主要对缓冲体系中辉钼矿电氧化浸出行为进行了考察,最优的浸出工艺参数为液固比25∶1,搅拌速度400r/min,NaCl浓度4mol/L,Na2CO3浓度10g/L,pH=9,室温,Mo浸出率可达到99.5%,且电流效率达到61%,而非缓冲体系电流效率仅为39%;浸出动力学表明,浸出过程表观活化能为8.56kJ/mol,反应界面有固体产物生成,过程受固膜扩散控制。