【摘 要】
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本文用横向扩展的雪崩模型分析了GaAs MESFET的功率限制因素:栅-漏间未耗尽外延电荷量、有效雪崩电场及表面效应,实验研究了凹槽尺寸、材料参数、表面钝化及栅金属化等因素对
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本文用横向扩展的雪崩模型分析了GaAs MESFET的功率限制因素:栅-漏间未耗尽外延电荷量、有效雪崩电场及表面效应,实验研究了凹槽尺寸、材料参数、表面钝化及栅金属化等因素对栅-漏雪崩击穿的影响.
In this paper, the power limiting factors of GaAs MESFETs are analyzed in terms of lateral expansion avalanche models: the amount of non-depleted epitaxial charge between the gate and the drain, the effective avalanche electric field and the surface effect. The effects of the groove size, material parameters, surface passivation and gate metal And other factors on the gate - drain avalanche breakdown.
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