MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT

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【摘要】

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用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二

【作者】

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王晓亮胡国新王军喜刘宏新孙殿照曾一平李晋闽孔梅

【机构】

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中国科学院半导体研究所材料中心,中国科学院微电子中心

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2003年4期

【关键词】

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分子束外延 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管氮化镓功率器件场效应晶体管 HEMT GaN power device FET MBE

【基金项目】

：

中国科学院知识创新工程项目，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)

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用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二维电子气浓度为9.6×1012 cm-2.用此材料研制了栅长为1 μm、栅宽为80 μm、源-漏间距为4 μm的AlGaN/GaN HEMT,其室温最大非本征跨导为186 mS/mm、最大漏极饱和电流密度为925 mA/mm、特征频率为18.8 GHz.另外,还研制了具有

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