【摘 要】
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为了研究杂质分布对器件性能的影响,同时制作了双扩散MOS(DMOS)和V形槽MOS(VMOS)晶体管。为了获得沟道的长度和峰值沟道掺杂浓度,变换了工艺参数。用两探针扩展电阻法测量杂
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为了研究杂质分布对器件性能的影响,同时制作了双扩散MOS(DMOS)和V形槽MOS(VMOS)晶体管。为了获得沟道的长度和峰值沟道掺杂浓度,变换了工艺参数。用两探针扩展电阻法测量杂质分布。DMOS器件横向杂质分布的性质是根据VMOS和DMOS器件的电性能的比较而推断的。业已发现,通常的一些模型不能恰当地模拟。饱和时的器件的输出电导由沟道-漏结周围区域的一维泊松方程的解推导出沟通长度调制的表示式。当将测量的杂质分布数据引入新的沟道长度调制模型时,在沟道长度从0.6微米到2微米范围内,器件的输出电导能够精确地模拟出。
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