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以碳化硅(SiC)和金刚石为原料,以氧化铝和氧化钇为烧结助剂,在1850℃保温1 h无压烧结制备了SiC-金刚石陶瓷。研究了金刚石含量(质量分数分别为0、0.25%、0.5%、1.0%、2.5%、5%)对SiC-金刚石陶瓷性能的影响。结果表明:随金刚石含量(0.25%~5%(w))的增加,SiC-金刚石陶瓷的致密度逐渐下降,晶粒尺寸先增大后减小。当添加0.25%(w)的金刚石时,试样性能最好,其致密度、热导率和比热容分别为90.3%、83.2 W·m-1·K-1