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采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法，对Au掺杂[100]方向氢钝化硅纳米线（SiNWs）不同位置的形成能、能带结构、态密度及磁性进行了计算，考虑了Au占据硅纳米线的替代、四面体间隙和六角形间隙的不同位置．结果表明：Au偏爱硅纳米线中心的替代位置．Au掺杂后的硅纳米线引入了杂质能级，禁带宽度变窄．对于Au替代掺杂，杂质能级主要来源于Au的d、P态和Si的P态，由于Au的d态和Si的P态的耦合，Au掺杂硅纳米线具有铁磁性．对于间隙掺杂，杂质能级主要来源于Au的S态，是非磁性的．另外，根据原子轨道和电子填充