硅,锗衬底上的软硬碳氢膜

来源 :西北大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：tony_one

【摘要】

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我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜（a-C:H）,所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层

【作者】

：

于明湘吴鹏柳伟刘文蓉何大韧刘买利施华

【机构】

：

西北大学物理系,西北光学仪器厂工艺所

【出处】

：

西北大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

1989年3期

【关键词】

：

碳氢膜衬底非晶碳氢膜硅锗

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我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜（a-C:H）,所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔（C2H2）外,还使用了液态源戌烷(C5H12)。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4

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