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在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义。基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的。通过合理的设计,优化了光刻胶清洗流程,最终达到成品率提升的目的。
90nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案
【摘 要】
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在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义。基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要
【机 构】
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上海交通大学微电子学院,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2008年10期
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