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为了研究势垒对铁磁／绝缘层／半导体／绝缘层／铁磁（FM／I／SM／I／FM）双隧道结中自旋相关电子输运特性的影响，提出了在半导体层厚度合适的情况下，非对称势垒对于提高平行结构磁性双隧道结的自旋注入效率SIE（spininjection efficiency）更具优势。数值计算结果表明，当两势垒强度的比率达到合适数值时双结的SIE和隧穿磁电阻TMR（tunneling magnetore resistance）都将达到最大，这给提高从铁磁到半导体的SIE带来新选择。研究还表明，非对称势垒结构磁性隧道结中增大