自旋注入效率相关论文
利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋......
利用量子隧穿理论研究了磁性半导体隧道结中自旋输运的偏压影响,分别讨论了自旋注入源是铁磁金属和铁磁半导体两种情况下,磁性半导体......
自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、......
为了探测从铁磁FM(ferromagnet)到半导体SM(semiconductor)的自旋注入效率,可以通过增加另一个铁磁体来形成一个铁磁/半导体/铁磁(......
为了研究势垒对铁磁/绝缘层/半导体/绝缘层/铁磁(FM/I/SM/I/FM)双隧道结中自旋相关电子输运特性的影响,提出了在半导体层厚度合适的情况下,非对......
自旋电子学(Spin-Electronics)是一门磁学和微电子学相交叉的新兴学科,它旨在利用电子自旋(自旋向上或自旋向下)而非传统的电子电......
本文考虑了界面自旋翻转效应后对有限尺寸的铁磁体/非磁性半导体/铁磁体异质结中的自旋注入问题进行了系统的理论探讨。由于自旋在两......