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制备了聚乙烯吡咯烷酮-硫化镉(PVP-CdS)修饰金电极,用循环伏安法研究了替米考星在该修饰电极上的电化学行为,用差分脉冲伏安法测定替米考星。结果表明:在扫描速率为100mV·s-(-1),静止时间为10s时,替米考星在pH 7.50的磷酸盐缓冲溶液中于0.93V左右产生一个氧化峰。PVP-CdS修饰金电极对替米考星的电化学过程有较显著的催化作用。替米考星的质量浓度在0.5-300mg·L^-1内与其在PVP-CdS金电极上对应的氧化峰电流呈线性关系,检出限为0.2mg·L^