【摘 要】
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国际整流器公司推出新一代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。全新
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国际整流器公司推出新一代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。全新的Gen8设计可让高性能Vce(on)降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台,彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期
International Rectifier introduces a new generation of insulated gate bipolar transistor (IGBT) technology platform. The new Gen8 1200V IGBT technology platform incorporates IR’s next-generation trench gate field-stop technology for superior performance in industrial and energy efficient applications. The new Gen8 design allows high-performance Vce (on) to reduce power consumption and increase power density, and provide excellent durability. Pan Dawei, vice president of sales for IR Asia Pacific, said: ”Through the development of a new benchmark technology and a state-of-the-art IGBT silicon platform, IR underscores IR’s commitment to enhancing power electronics for decades.
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