【摘 要】
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应用传统的陶瓷制备方法,制备了烧结温度分别为1 200 ℃和1 250 ℃的双钙钛矿结构庞磁电阻（GMR）材料Sr2FeMoO6样品.通过X射线衍射、室温磁阻和穆斯堡尔谱研究，发现较低温度烧结
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应用传统的陶瓷制备方法,制备了烧结温度分别为1 200 ℃和1 250 ℃的双钙钛矿结构庞磁电阻（GMR）材料Sr2FeMoO6样品.通过X射线衍射、室温磁阻和穆斯堡尔谱研究，发现较低温度烧结的样品晶粒相对较小而磁阻较大，从而暗示晶界上的自旋极化电子对磁电阻效应有明显贡献.同时，通过观察不同温度下的穆斯堡尔谱，看到了晶界上Fe离子磁状态的改变，这从另一角度证实晶界上的载流子散射是室温下电阻产生的主要原因，而晶粒之间自旋极化电子的跳动受到外加磁场的影响，产生了磁电阻效应.
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