MBElnxGa1—xAs/GaAs(001)系统晶格失配的研究

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本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚度t_(?)~2μm的情况下,获得范性应变临界组份x_c=0.114.当x<x_c时,外延层生长方向应变(?)_1⊥与x成线性关系;当x>x_c时,外延层出现范性形变.
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