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基于1．0μmONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺，主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ONO反熔丝器件特性的影响。研究发现，采用非掺杂多晶硅作为反熔丝孔腐蚀的掩蔽层、低压氧化方式生长隧道氧化层、LPCVD制备富N的Si3N4层、高温热氧化方式生长顶层氧化层等工艺制备ONO反熔丝单元，其熔丝具有良好的开关态特性：半编程电压条件下漏电低（约1．0×10^-2A）、击穿电压离散性小（均匀性小于5％）、编程电阻低（编程电流大于2mA时，其熔丝编程电阻小于300Ω）等，同时，在常温25℃