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ONO反熔丝器件制备工艺及其特性研究
基于1.0μmONO(SiO2-Si3N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺,主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ONO反熔丝器件特性的影响。研究发现,采用非掺杂多晶硅......
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