【摘 要】
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报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及53
【机 构】
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南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,
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报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率均处于国内领先水平.
A high performance 3 In. Indium Phosphate Double Heterojunction Bipolar Transistor process is reported. An indium phosphide double heterojunction bipolar transistor with an emitter size of 0.5 μm × 5 μm, a current gain cutoff frequency and a maximum oscillation The frequencies reach 350 GHz and 532 GHz, respectively, with a breakdown voltage of 4.8 V. Two process verification circuits, a 114 GHz static divider and a 170 GHz dynamic divider, were developed based on the process, both operating at the leading domestic frequency Level.
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