【摘 要】
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制备了HgCdTe离子注入N~+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制进行了详细的理论分析.在考虑了窄禁带HgCdTe
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所 200083,200083,200083
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制备了HgCdTe离子注入N~+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制进行了详细的理论分析.在考虑了窄禁带HgCdTe的特殊性质后,计算了表面沟道电流决定的P-N结正、反向I-V特性和R_0A的温度特性,以及它们与表面状态的关系.理论与实验定性相符.
The HgCdTe ion-implanted N ~ + -P Gated diode was fabricated.The measurement results show that the surface channel leakage caused by the strong surface inversion on the P region severely limits the performance of the device, and a detailed theoretical analysis of this leakage mechanism After considering the special properties of HgCdTe in narrow bandgap, the relationship between the positive and negative IV characteristics of PN junction and the R_0A temperature and the relationship between them and the surface states are calculated, which are in good agreement with the experimental results.
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