场感应结相关论文
本文叙述了一种以隧道场感应结作为发射结的新型晶体管。初步实验表明:器件具有电流增益功能与极低的h_(FE)温度系数,可望制成温度......
制备了HgCdTe离子注入N~+-P栅控二极管.测量结果表明,由P区一侧表面强反型引起的表面沟道漏电严重限制着器件性能,对这种漏电机制......
对少子ＭＩＳ隧道结发射极晶体管提出一种场感应结模型。以此模型为基础，导出该器件的ｈＦＥ与金属功函数及基区掺杂浓度的关系．所得结果与实验数......
对少于ＭＩＳ隧道结发射极晶体管提出一种场感应结模型，以此模型为基础，导出该器件的ｈＥＥ与金属功函数及基区掺杂浓度的关系，所得结果与实验数据......
