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采用直流磁控溅射方法，在Si（100）单晶衬底上制备γ＇-Fe4N纳米晶薄膜样品，并利用X射线衍射（XRD）和振动样品磁强计（VSM）对样品的结构和磁性进行测试分析，给出了比饱和磁化强度及矫顽力与温度的关系．结果表明，样品沿（111）晶面择优生长，具有单一的易磁化方向，且易磁化方向平行于（111）晶面．随着测量温度的降低，γ＇-Fe4N纳米晶薄膜样品的比饱和磁化强度σs增加，矫顽力风增大，剩磁比σr／σs减小．通过理论拟合确定了比饱和磁化强度与矫顽力随温度的变化关系，矫顽力随温度的变化满足T^1/2规律，