【摘 要】
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将１×１０＾１７／ｃｍ＾２的氦离子以３５ｋｅＶ的能量注入到单晶硅中，在硅有层下面形成纳空腔，将１×１０＾１７／ｃｍ＾２的氧离子注入到空腔层的下方，用ＲＢＳ／Ｃ、ＳＲＰ及ＸＴＥＭ等测试手段对样品进行研究。结果表明，纳米空腔对氧有强烈的吸附作
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
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将１×１０＾１７／ｃｍ＾２的氦离子以３５ｋｅＶ的能量注入到单晶硅中，在硅有层下面形成纳空腔，将１×１０＾１７／ｃｍ＾２的氧离子注入到空腔层的下方，用ＲＢＳ／Ｃ、ＳＲＰ及ＸＴＥＭ等测试手段对样品进行研究。结果表明，纳米空腔对氧有强烈的吸附作用，１０００℃退火后氧从原注入位置释放，并被空腔俘获，形成含纳米孔的氧化埋层。氧与空腔的互作用抑制了纳米空腔的迁移、聚合。利用这一现象有望制备出纳米氧化埋层ＳＩＭ
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