将１×１０＾１７／ｃｍ＾２的氦离子以３５ｋｅＶ的能量注入到单晶硅中，在硅有层下面形成纳空腔，将１×１０＾１７／ｃｍ＾２的氧离子注入到空腔层的下方，用ＲＢＳ／Ｃ、ＳＲＰ及ＸＴＥＭ等测试手段对样品进行......