【摘 要】
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研究了在两种衬底温度(Tsub)下射频磁控溅射淀积铝掺杂ZnO薄膜对ZnO/Si异质结太阳电池的微结构和开路电压(Voc)的影响.在淀积温度为室温时,ZnO薄膜的光学带隙(Egopt)是3.5 eV
【机 构】
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英利集团有限公司光伏材料与技术国家重点实验室,河北保定,071051
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研究了在两种衬底温度(Tsub)下射频磁控溅射淀积铝掺杂ZnO薄膜对ZnO/Si异质结太阳电池的微结构和开路电压(Voc)的影响.在淀积温度为室温时,ZnO薄膜的光学带隙(Egopt)是3.5 eV,薄膜电阻率为9.51×10-4 Ω·cm.当淀积温度提高到250℃时发现Egopt为3.63 eV,薄膜电阻率降低到2.6×10-4Ω·cm.在两种衬底温度下制造了n-ZnO/n-Si异质结太阳电池.准静态开路电压法测量表明,在一个太阳光强(1 000 W/m2)下测量了ZnO/Si异质结太阳电池的开路电压Uoc和赝填充因子(p-FF).发现在室温下淀积的电池的Vc=346 mV、赝填充因子为0.70;而250℃淀积ZnO薄膜的电泡的Voc=431 mV、赝填充因子为0.76.太阳电池两二极管模型拟合准静态开路电压法的测量数据表明,Voc的提高是由于太阳电池中载流子复合降低引起的.
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