纳米Zn1-xFexSe薄膜的制备和结构研究

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采用双源热蒸发方法制备了纳米Zn1-xFexSe稀释磁性半导体薄膜,根据X射线衍射谱和Raman散射谱研究了薄膜的晶体结构和声子谱特征.结果表明:Zn1-xFexSe薄膜中纳米晶粒的晶格常数随Fe含量增加而增大;通过Raman散射光谱观察到明显的声子限域效应,与ZnSe体材料相比,Zn1-xFexSe薄膜同光学声子模对应的Raman散射峰表现出宽化和红移;纳米晶粒的晶格膨胀导致Raman散射峰红移随Fe含量增多而相应加大.
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