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本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正，反身阻断电压和Ａｎｐｎ，ａｐｎｐ的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ，ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控硅的制造方法，以及在光敏固态继电器上的应用。
大电流光激可控硅的设计制造及应用
【摘 要】
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本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑，特别对光激可控硅的正，反身阻断电压和Ａｎｐｎ，ａｐｎｐ的关系，以及光触发开启灵敏度和ｄＶ／ｄｔ，ｄＩ／ｄｔ耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了３安培光激可控硅的
【机 构】
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杭州半导体厂
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年1期
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